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整機結(jié)構(gòu)
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前端設(shè)備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統(tǒng)與等離子體處理單元分體式設(shè)計
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等離子體源
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射頻式電感耦合等離子體源或雙頻等離子體源
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反應(yīng)腔室
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標準設(shè)計為雙反應(yīng)腔室，可根據(jù)需求定制單反應(yīng)腔室和多反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)
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機械傳片
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單臂或雙臂高精度機械手
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Wafer升降
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機械式Wafer pin升降結(jié)構(gòu)，Wafer pin采用特定工藝處理
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真空泵
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干式真空泵，根據(jù)安裝位置及工藝不同，選擇100-600m3/h規(guī)格。如工藝需求，可增加分子泵。
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工藝壓力控制
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自動調(diào)壓蝶閥
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真空檢測
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管道真空計、反應(yīng)腔室全量程真空計、工藝真空計
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工藝氣體種類
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標準配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工藝氣體
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氣體流量控制
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質(zhì)量流量控制器（MFC）
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反應(yīng)腔室溫度范圍
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50 - 280℃
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控制系統(tǒng)
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基于工業(yè)電腦設(shè)計開發(fā)的人機交互系統(tǒng)，系統(tǒng)設(shè)計人性化、操作簡單
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